„Toshiba“ paskelbė apie naują naujos kartos 650 V įtampos MOSFET seriją, skirtą naudoti duomenų centrų serverių maitinimo šaltiniuose, saulės (PV) kondicionieriuose, nepertraukiamo maitinimo sistemose (UPS) ir kitose pramoninėse programose.
Pirmasis „DTMOS VI“ serijos maitinimo šaltinis yra 650 V TK040N65Z, palaikantis nepertraukiamo nutekėjimo sroves (I D) iki 57A ir 228A, kai impulsas (I DP). Norint sumažinti nuostolius energijos vartojimo programose, jis užtikrina ypač mažą nutekėjimo šaltinio atsparumą R DS (ON) 0,04Ω (0,033Ω tip.), Todėl dėl sumažinto sumažėjimo jis tinka naudoti šiuolaikiniuose greitaeigiuose maitinimo šaltiniuose. talpa projektuojant.
Sumažinus pagrindinį našumo indeksą / nuopelnų skaičių (FoM) - R DS (ON) x Q gd, pagerėja energijos vartojimo efektyvumas programose. TK040N65Z rodo šios svarbios metrikos pagerėjimą 40%, palyginti su ankstesniu DTMOS IV-H įrenginiu, o tai rodo reikšmingą energijos tiekimo efektyvumo padidėjimą maždaug 0,36% - matuojant 2,5 kW PFC grandinėje.
Programos
- Datos centrai (serverio maitinimo šaltiniai ir kt.)
- Fotoelektros generatorių maitinimo kondicionieriai
- Nepertraukiamo maitinimo sistemos
funkcijos
- Mažesnis R DS (ON) × Q gd leidžia perjungti maitinimo šaltinius, kad pagerėtų efektyvumas
Pagrindinės specifikacijos (@T a = 25 ℃)
|
Dalies numeris |
TK040N65Z |
|
|
Pakuotė |
TO-247 |
|
|
Absoliutus maksimalus įvertinimas |
Drenažo šaltinio įtampa V DSS (V) |
650 |
|
Išleidimo srovė (DC) I D (A) |
57 |
|
|
Drenažo šaltinio atsparumas R DS (ON) max @ V GS = 10V (Ω) |
0,040 |
|
|
Bendras vartų įkrovimas Q g tip. (nC) |
105 |
|
|
Vartų nutekėjimo įkrovimas Q gd tip. (nC) |
27 |
|
|
Įvesties talpa C yra tip. (pF) |
6250 |
|
|
Ankstesnės serijos (DTMOS Ⅳ-H) dalies numeris |
TK62N60X |
TK040N65Z yra pramoninio standarto TO-247 paketas, užtikrinantis suderinamumą su senais dizainais ir tinkamumą naujiems projektams. Šiandien ji patenka į masinę gamybą ir siuntos prasideda iškart.